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供應(yīng)ST單片機(jī) STM32G474RBT3 帶DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU

來源：本站時間：2023-12-22瀏覽數(shù)：

深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝正品供應(yīng)ST單片機(jī) STM32G474RBT3 帶DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash存儲器、數(shù)學(xué)加速器、高分辨率定時器和高模擬電平集成。STM32G474RBT3產(chǎn)品概述STM32G474xB/xC/xE 器件基于高性能的 Arm Cortex-M4 32 位 RISC 內(nèi)…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝正品供應(yīng)ST單片機(jī) STM32G474RBT3 帶DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash存儲器、數(shù)學(xué)加速器、高分辨率定時器和高模擬電平集成。

STM32G474RBT3產(chǎn)品概述

STM32G474xB/xC/xE 器件基于高性能的 Arm? Cortex?-M4 32 位 RISC 內(nèi)核。它們的工作頻率高達(dá) 170 MHz。

Cortex-M4 內(nèi)核具有單精度浮點(diǎn)運(yùn)算單元 (FPU)，支持所有 Arm 單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了全套 DSP（數(shù)字信號處理）指令和內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），從而提高了應(yīng)用程序的安全性。

這些器件嵌入了高速存儲器（512 Kbytes 閃存和 128 Kbytes SRAM）、用于靜態(tài)存儲器的靈活外部存儲器控制器 (FSMC)（適用于 100 引腳及以上封裝的器件）、Quad SPI 閃存接口，以及與兩條 APB 總線、兩條 AHB 總線和一個 32 位多 AHB 總線矩陣相連的大量增強(qiáng)型 I/O 和外設(shè)。

這些器件還為嵌入式閃存和 SRAM 嵌入了多種保護(hù)機(jī)制：讀出保護(hù)、寫保護(hù)、可保護(hù)內(nèi)存區(qū)域和專有代碼讀出保護(hù)。

這些器件嵌入了可加速數(shù)學(xué)/算術(shù)功能的外設(shè)（用于三角函數(shù)的 CORDIC 和用于濾波功能的 FMAC 單元）。

產(chǎn)品特性

核心： Arm? 32 位 Cortex?-M4 CPU，帶 FPU、自適應(yīng)實(shí)時加速器（ART 加速器），允許從閃存執(zhí)行 0 等待狀態(tài)，頻率高達(dá) 170 MHz，具有 213 DMIPS、MPU、DSP 指令
工作條件
VDD, VDDA 電壓范圍 1.71 V 至 3.6 V
數(shù)學(xué)硬件加速器
用于三角函數(shù)加速的 CORDIC
FMAC：濾波數(shù)學(xué)加速器
存儲器
512 Kbytes 閃存，支持 ECC、兩組讀寫、專有代碼讀出保護(hù) (PCROP)、可保護(hù)內(nèi)存區(qū)域、1 Kbyte OTP
96 千字節(jié) SRAM，前 32 千字節(jié)采用硬件奇偶校驗(yàn)
例程增強(qiáng)器：指令和數(shù)據(jù)總線上的 32 K 字節(jié) SRAM，帶硬件奇偶校驗(yàn)（CCM SRAM）
用于靜態(tài)存儲器的外部存儲器接口 FSMC 支持 SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存儲器
四 SPI 存儲器接口
復(fù)位和電源管理
上電/掉電復(fù)位（POR/PDR/BOR）
可編程電壓檢測器（PVD）
低功耗模式：睡眠、停止、待機(jī)和關(guān)機(jī)
為 RTC 和備份寄存器提供 VBAT 電源