IAUMN10S5N017G是OptiMOS? 5 100V 汽車 MOSFET 采用新型 mTOLG 8x8mm2 SMD 封裝。它專為要求苛刻的汽車應用所需的高性能、高質量和堅固性而設計。這款 mTOLG 封裝 MOSFET 具有更高的 TCoB 性能，建議用于鋁 (Al) 內核 IMS 和銅 (Cu) 基金屬基板。

特征

鷗翼形引線

與其他 8x8mm2 封裝兼容

領先的 RDS（導通） 

快速開關時間（開/關）

超越 AEC-Q101 的擴展鑒定

增強型電氣測試

175°C 工作溫度

100% 雪崩測試

IAUMN10S5N017G規(guī)格

系列： OptiMOS? 5  

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 200A（Tj）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 1.7 毫歐 @ 100A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 215μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 170 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） ：12514 pF @ 50 V  

功率耗散（最大值）： 307W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-HSOG-4-1  

封裝/外殼： 4-PowerSFN  

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