GCMS040A120S1-E1 1200V SiC MOSFET模塊在高溫下具有低導通電阻和出色的開關性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設計。SemiQ SiC MOSFET模塊以零開關損耗運行，可顯著提高效率并減少散熱，從而允許更小的散熱器。
優(yōu)勢
高開關頻率工作時出色的功率轉換效率
低開關損耗和低EMI噪聲
非常堅固且易于安裝
直接安裝到散熱器上（隔離封裝）
低結至外殼熱阻
由于VF的正溫度系數，易于并聯(lián)
符合RoHS標準
應用
光伏逆變器
航空航天致動器
服務器電源
高壓交流/DC轉換器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR是一款由Samtec公司生產的高密度陣列板對板連接器，屬于SEARAY? SEAF插座系列。該連接器采用1.27mm間距網格和耐用型Edge Rate端子系統(tǒng)，具有高達56Gbps的性能。此外，SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR連接器符合IPC-A-610F和IPC J-STD-001F標準規(guī)范…
GCMX020B120S1-E1
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GCMX005A120S7B1
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GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產品屬性技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產品屬性技術：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產品屬性技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…電話咨詢：86-755-83294757
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