MSCSM120AM31TBL1NG是一款1200V、79A無基板SiC MOSFET 模塊。典型應用包括：高可靠性電源系統(tǒng)、高效交流/DC和DC/交流轉換器和電機控制。

MSCSM120AM31TBL1NG器件的主要特性如下:

? 高效轉換器

? 高頻工作時的出色性能

? 直接安裝到散熱器上(隔離封裝)

? 低結至散熱器熱阻

? 用于電源和信號的可焊接端子，便于PCB安裝

? 高度集成的電源轉換系統(tǒng)

? 低調

? 符合RoHS標準

MSCSM120AM31TBL1NG的規(guī)格：

技術：碳化硅（SiC）

配置：2 N 溝道（相角）

FET 功能：-

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：79A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V

功率 - 最大值：310W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：-

基本產品編號：MSCSM120

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