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型號(hào)：NTMFS4C024NT1G
年份：21+
封裝：QFN
產(chǎn)品屬性
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8FL-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 78 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.6 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: NTMFS4C024N
工廠包裝數(shù)量: 1500
子類別: MOSFETs
單位重量: 750 mg
公司首頁：www.diplomadcc.com
時(shí)間：2025-05-10
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時(shí)間：2025-05-10
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時(shí)間：2025-05-10
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