最新資訊7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報(bào)道，三星電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日下午對(duì)其第六代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開(kāi)發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。三星電子的 HBM4 12Hi 內(nèi)存將使用 1c nm DRAM Die，可以說(shuō)該內(nèi)存…
7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報(bào)道，三星電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日下午對(duì)其第六代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開(kāi)發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。
三星電子的 HBM4 12Hi 內(nèi)存將使用 1c nm DRAM Die，可以說(shuō)該內(nèi)存工藝的表現(xiàn)在很大程度上影響了 DS 部門(mén)存儲(chǔ)器事業(yè)部未來(lái) 1~2 年的營(yíng)收表現(xiàn)。
而在三星電子之前，SK 海力士和美光也都完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的開(kāi)發(fā)，三大內(nèi)存原廠向 10nm 關(guān)口更近了一步。
![供應(yīng) [TI 原裝芯片] ISO7220CDR 雙通道數(shù)字隔離器](/upload/202507/01/202507011556462228.jpg)
時(shí)間：2025-07-01
時(shí)間：2025-07-01
![供應(yīng) [Espressif] 無(wú)線 SoC，供應(yīng) ESP8266、ESP32、ESP32-S、ESP32-C6、ESP32-C5 系列產(chǎn)品](/upload/202507/01/202507011421364529.jpg)
時(shí)間：2025-07-01
時(shí)間：2025-07-01
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
