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明佳達重點回收【ST】全新氮化鎵( GaN) 電源IC

明佳達重點回收【ST】全新氮化鎵( GaN) 電源IC

來源:本站時間:2025-03-26瀏覽數(shù):

近年來,隨著全球半導體技術的飛速發(fā)展,氮化鎵(GaN)作為一種新型半導體材料,憑借其高效率、高功率密度和低能耗等優(yōu)勢,在電源管理、5G通信、電動汽車等領域得到了廣泛應用。作為全球領先的半導體供應商之一,意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出的氮化鎵電…

近年來,隨著全球半導體技術的飛速發(fā)展,氮化鎵(GaN)作為一種新型半導體材料,憑借其高效率、高功率密度和低能耗等優(yōu)勢,在電源管理、5G通信、電動汽車等領域得到了廣泛應用。作為全球領先的半導體供應商之一,意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出的氮化鎵電源IC以其卓越的性能和可靠性,成為市場中的熱門產品。然而,隨著市場需求的波動和供應鏈的變化,部分企業(yè)可能會面臨庫存積壓的問題。在此背景下,深圳市明佳達電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件回收和供應鏈服務商,宣布大量回收全新ST氮化鎵電源IC庫存,為行業(yè)資源優(yōu)化提供有力支持。


一、重點回收的產品

1、集成式智能GaN

氮化鎵(GaN)技術通過硅MOSFET支持實現(xiàn)前所未有的高速、更高效率和功率密度,正在深刻改變電力工程領域。我們先進MasterGaN系統(tǒng)級封裝集成了GaN晶體管和柵極驅動器,具有優(yōu)化的柵極驅動布局、較高的功率密度以及因最小寄生效應而提升的開關頻率,因此效率更高。


2、STDRIVE? GaN驅動器

GaN驅動設備是用于增強模式GaN FET或N溝道功率MOSFET的半橋柵極驅動器。


3、高壓GaN轉換器

高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)技術的引入豐富了高壓功率變換器。GaN晶體管的使用帶來了更高的功率密度、效率,以及開關頻率,幫助人們研發(fā)出體積更小且重量更輕的PCB,簡化了SMPS的設計,提高了整體性能。


二、回收條件與流程

?1、庫存要求?

封裝完整性?:接收QFN、TSSOP、SOIC等封裝型號,需保留原廠防靜電包裝或可追溯批次標簽?。

?技術參數(shù)?:提供完整型號、規(guī)格書及剩余壽命數(shù)據,優(yōu)先回收支持多通道輸出(如4-12路)的高端型號?。


?2、服務流程?

快速報價?:提交庫存清單后,明佳達技術團隊通過X射線檢測與電性能測試,1小時內反饋分級報價?。

?靈活交付?:支持深圳倉庫現(xiàn)場驗貨或香港保稅區(qū)跨境提貨,48小時內完成貨款結算(銀行轉賬或現(xiàn)金支付)?。

?環(huán)保處理?:不可復用的庫存經ISO 14001認證流程拆解,貴金屬提純率達99.9%,符合RoHS標準?。


如您有多余的【ST氮化鎵( GaN) 電源IC】庫存需要清理,請通過官網(www.diplomadcc.com)與我們聯(lián)系。


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