最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司意法半導(dǎo)體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET，全新原裝，質(zhì)量保證！產(chǎn)品型號(hào)：STL33N60DM2系列： MDmesh? DM2 產(chǎn)品狀態(tài)： 在售 FET 類型： N 通道 技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）： 600 V 25C 時(shí)電流 - 連…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司意法半導(dǎo)體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET，全新原裝，質(zhì)量保證！
產(chǎn)品型號(hào)：STL33N60DM2
系列： MDmesh? DM2
產(chǎn)品狀態(tài)： 在售
FET 類型： N 通道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：21A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 140 毫歐 @ 10.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）： 150W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼： 8-PowerVDFN
介紹
意法半導(dǎo)體 MDmesh DM2 系列是意法半導(dǎo)體最新的快速恢復(fù) 二極管系列 600V 功率 MOSFET，特別適合 ZVS 相移橋拓?fù)洹Ｋ鼈兙哂蟹浅Ｐ〉幕謴?fù)電荷和時(shí)間(Qrr, trr)， 并有低 20% 的 RDS（on） （相比前一代產(chǎn)品）。高 dV/dt 強(qiáng)度（40V/ns），確保更高系統(tǒng)可靠性。
特性
柵極電荷和輸入電容低
與上一代產(chǎn)品相比，RDS(on) x 面積更低
柵極輸入電阻低
專為開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)
100% 經(jīng)過雪崩測(cè)試
齊納保護(hù)
高 dv/dt 和雪崩能力
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時(shí)間：2025-06-13
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