最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司推出意法半導(dǎo)體功率晶體管_STGB19NC60KDT4_短路保護(hù)IGBT 20 A、600 V、125 W 表面貼裝型 D2PAK描述：STGB19NC60KDT4一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該器件采用先進(jìn)的 PowerMESH? 技術(shù)，具有…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司推出意法半導(dǎo)體功率晶體管_STGB19NC60KDT4_短路保護(hù)IGBT 20 A、600 V、125 W 表面貼裝型 D2PAK
描述：
STGB19NC60KDT4一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該器件采用先進(jìn)的 PowerMESH? 技術(shù)，具有卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗。
STGB19NC60KDT4廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
工業(yè)驅(qū)動(dòng)：電機(jī)控制、焊接設(shè)備、數(shù)控機(jī)床等
電源系統(tǒng)：開關(guān)電源、逆變器、充電器
可再生能源：太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電
電動(dòng)汽車：電機(jī)驅(qū)動(dòng)
電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 35 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) ：75 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值） ：2.75V @ 15V，12A
功率 - 最大值： 125 W
開關(guān)能量： 165μJ（導(dǎo)通），255μJ（關(guān)斷）
輸入類型： 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷： 55 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值： 30ns/105ns
測試條件： 480V，12A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) ：31 ns
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝： D2PAK
公司主頁：http://www.diplomadcc.com/
時(shí)間：2025-05-10
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