IRLR8743TRPBF 屬于英飛凌的 HEXFET? 系列，采用了表面貼裝（SMD） 的 TO-252-3（也稱為 DPAK） 封裝。這款MOSFET的導通電阻（Rds(on)）非常低，這意味著在導通狀態(tài)下本身的能量損耗很小，有助于提高整體效率并減少發(fā)熱。同時，它具備快速開關能力，這對于高頻開關電路至關重要。

優(yōu)勢

4.5V VGS條件下極低導通電阻

超低柵極阻抗

全面表征的雪崩電壓與電流特性

產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 160 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V

Qg-柵極電荷: 39 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 135 W

通道模式: Enhancement

商標名: HEXFET

應用

計算機處理器電源用高頻同步降壓轉(zhuǎn)換器

電信及工業(yè)應用的高頻隔離式同步整流DC-DC轉(zhuǎn)換器

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