TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。

TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下：

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：9.2 A

Rds On-漏源導通電阻：312 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.8 V

Qg-柵極電荷：3.5 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 150 C

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：PQFN-8

Pd-功率耗散：41.6 W

通道模式：Enhancement

配置：Cascode

下降時間：3.6 ns

產(chǎn)品類型：GaN FETs

上升時間：4.6 ns

技術：GaN

晶體管類型：GaN HEMT

典型關閉延遲時間：20 ns

典型接通延遲時間：33 ns

典型應用

■ 消費品

■ 電源適配器

■ 低功耗開關電源

■ 照明

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。