F4200R17N3E4B58配有溝槽/場截止 IGBT 4、射極受控二極管、輸入整流器和 NTC。F4200R17N3E4B58具有低 VCEsat，正溫度系數，采用成熟的 Econo 模塊概念，隔離底板，焊接接觸技術，符合 RoHS 規(guī)范的模塊，集成整流器。緊湊型模塊概念，可優(yōu)化開發(fā)周期和成本，配置靈活，快速、可靠、低成本的安裝理念。

產品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：全橋反相器

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A

功率 - 最大值：20 mW

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，200A

電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：16 nF @ 25 V

輸入：三相橋式整流器

NTC 熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-ECONO3B

應用

? 大功率變流器

? 中壓變流器

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