IKB15N60TATMA1 600 V，15 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 第三代 IGBT 與全額定續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO263 D2Pak 封裝中，結(jié)合了溝槽柵和場終止概念，顯著改善了器件的靜態(tài)及動態(tài)性能。IGBT 與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管相結(jié)合，進一步降低接通損耗。在開關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間做出優(yōu)化，實現(xiàn)最高效率。

特征描述

極低的 VCEsat 壓降，降低傳導(dǎo)損耗

低開關(guān)損耗

VCEsat 具備正溫度系數(shù)，實現(xiàn)輕松并聯(lián)開關(guān)能力

極軟、快速恢復(fù)防并聯(lián)發(fā)射極控制二極管

高穩(wěn)健性和溫度穩(wěn)定性

低 EMI 排放

低柵極電荷

參數(shù)分布非常緊湊

IKB15N60TATMA1產(chǎn)品屬性

IGBT 類型： 溝槽型場截止  

電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 600 V  

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 30 A  

電流 - 集電極脈沖 (Icm)： 45 A  

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）： 2.05V @ 15V，15A  

功率 - 最大值： 130 W  

開關(guān)能量： 570μJ  

輸入類型： 標(biāo)準(zhǔn)  

柵極電荷： 87 nC  

25°C 時 Td（開/關(guān)）值： 17ns/188ns  

測試條件： 400V，15A，15 歐姆，15V  

反向恢復(fù)時間 (trr)： 34 ns  

工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-3-2

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