LCMXO2-640ZE-2MG132I 采用 65 納米非易失性低功耗工藝設(shè)計(jì)。該器件架構(gòu)具有多種特性，例如可編程低擺幅差分 I/O，以及動(dòng)態(tài)關(guān)閉 I/O 組、片上 PLL 和振蕩器的能力。

LCMXO2-640ZE-2MG132I MachXO2? 系列超低功耗、瞬時(shí)導(dǎo)通、非易失 PLD 有六款器件，密度從 256 到 6864 個(gè)查找表 (LUT)。

產(chǎn)品特性

六個(gè)器件，具有 256 至 6864 個(gè) LUT4 和 18 至 334 個(gè) I/O

先進(jìn)的 65 納米低功耗工藝

待機(jī)功耗低至 22 μW

可編程低擺幅差分 I/O

待機(jī)模式和其他省電選項(xiàng)

高達(dá) 240 kbits sysMEM? 嵌入式塊 RAM

高達(dá) 54 kbits 的分布式 RAM

高達(dá) 256 kb 的用戶閃存

施密特觸發(fā)器輸入，滯后高達(dá) 0.5 V

I/O 支持熱插拔

片上差分終端

可編程上拉或下拉模式

八個(gè)主時(shí)鐘

用于高速 I/O 接口的多達(dá)兩個(gè)邊緣時(shí)鐘

每個(gè)器件最多兩個(gè)模擬 PLL，具有分?jǐn)?shù)-n 頻率合成功能

寬輸入頻率范圍（7 MHz 至 400 MHz）

片上加固功能： SPI、I2C、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器

精度為 5.5% 的片上振蕩器

產(chǎn)品屬性

系列： MachXO2  

LAB/CLB 數(shù)： 80  

邏輯元件/單元數(shù)： 640  

總 RAM 位數(shù)：18432  

I/O 數(shù)： 79  

電壓 - 供電： 1.14V ~ 1.26V  

安裝類型： 表面貼裝型  

工作溫度： -40°C ~ 100°C（TJ）  

封裝/外殼： 132-LFBGA，CSPBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 132-CSPBGA（8x8）  

基本產(chǎn)品編號(hào)：LCMXO2-640

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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