IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：

產(chǎn)品優(yōu)勢

具有出色的效率，降低結(jié)溫和外殼溫度，從而提高設備可靠性

母線電壓可提升50V，同時不影響可靠性

更高的功率密度設計

技術(shù)規(guī)格

IGBT 類型：溝道

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：120 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：300 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A

功率 - 最大值：395 W

開關能量：2.25mJ（導通），950μJ（關斷）

輸入類型：標準

柵極電荷：160 nC

25°C 時 Td（開/關）值：28ns/174ns

測試條件：400V，75A，8 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

應用領域

IGW75N65H5適用于各種需要高效、低損耗的電力電子設備，特別是在家用電器、工業(yè)控制、汽車電子等領域有廣泛應用?。

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