商品名稱：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TSON-6
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IGC019S06S1 是一款 60 V 常閉增強(qiáng)型功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。由于其極低的導(dǎo)通電阻，它是在要求苛刻的高電壓和大電流應(yīng)用中實現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
IGC019S06S1的應(yīng)用：
電池供電工具
低功耗 SMPS
電信和數(shù)據(jù)中心
電動汽車、電動自行車、無人機(jī)
機(jī)器人和無人機(jī)
太陽能和儲能系統(tǒng)
IGC019S06S1的特征：
超快速開關(guān)和高效率
節(jié)省空間且高度堅固的封裝
無反向恢復(fù)費(fèi)用
超低柵極電荷和輸出電荷
裸露芯片可實現(xiàn)卓越的頂部散熱
濕度等級 MSL1
工業(yè)級 3x5 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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IPD70R600P7S
IPD70R600P7S是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET，屬于 CoolMOS? P7 系列，采用 TO-252-3（DPAK）封裝，適用于高壓、高頻開關(guān)應(yīng)用，如 電源適配器、充電器、工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動 等領(lǐng)域。
S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A：FM4 S6E2H系列MCU——160MHz，32位單核 Arm Cortex-M4微控制器（MCU），F(xiàn)BGA-121型號：S6E2H46G0AGB3000A封裝：FBGA-121類型：32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性：核心處理器：ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格：32 位單核速度：160MHz連接能力：C…
2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢：86-755-83294757
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