TW015N120C,S1F N通道 1200V 100A 第三代(內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管)芯片設(shè)計而成的MOSFET器件

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 50A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 11.7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：158 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6000 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：431W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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