SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC（碳化硅）功率MOSFET導(dǎo)通電阻極小，開關(guān)性能非常出色，幾乎不受溫度影響，因為寬帶隙材料具有先進(jìn)、創(chuàng)新的特性。該器件還具有非?？焖佟怨痰膬?nèi)置體二極管以及極低的柵極電荷和輸入能力。額定溫度高達(dá)200°C，因此改進(jìn)了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：91A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 50A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3540 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：547W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：SCTW70

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