IMW65R048M1HXKSA1是照明和工業(yè)SMPS應用的理想選擇，它融合了一流的性能和最先進的易用性。

IMW65R048M1HXKSA1的產(chǎn)品屬性

FET類型： N-溝道

技術(shù)： SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓（Vdss）： 650 V

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 39A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 64mOhm @ 20.1A, 18V

Vgs(th)（最大值）@ Id： 5.7V @ 6mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 33 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V, -5V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 1118 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 125W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型： 通孔

供應商器件封裝： PG-TO247-3-41

封裝/外殼：TO-247-3

IMW65R048M1HXKSA1的特點

在較高的電流下具有優(yōu)化的開關(guān)行為

具有低Qmr的換向穩(wěn)健的快速體二極管

卓越的柵極氧化可靠性

集成電路芯片N通道650V 39A IMW65R048M1HXKSA1單晶體管

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。