NVH4L060N090SC1 是一款采用全新技術的 900V SiC（碳化硅）MOSFET器件，與硅器件相比，具有更出色的開關性能和更高的可靠性。該MOSFET具有低導通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。此器件非常適合用于升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉換器、車載充電器 (OBC)、電機控制、工業(yè)電源和服務器電源。

產品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：46A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：84 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：87 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1770 pF @ 450 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：221W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

基本產品編號：NVH4L060

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