BSC004NE2LS5ATMA1是一款采用SuperSO8封裝的OptiMOS? 5低壓功率MOSFET 25V晶體管，其BiC RDS（on）為0.45mOhm。

BSC004NE2LS5ATMA1的產(chǎn)品屬性

技術(shù)： 硅技術(shù)

安裝方式： SMD/SMT

封裝/外殼：TDSON-8-FL

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：25 V

Id - 連續(xù)漏極電流：479 A

Rds On - 漏極-源極電阻： 540 uOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：1.5 V

Qg - 柵極電荷：238 nC

BSC004NE2LS5ATMA1的特點

優(yōu)異的通態(tài)電阻

基準(zhǔn)的開關(guān)性能（最小質(zhì)量系數(shù)RDS(on) x Qg和RDS(on) x Qgd）

為環(huán)形電路優(yōu)化的特定部件，提供低RDS(on)。

帶有集成肖特基二極管的部件和漏電流減少的型號

晶體管 BSC004NE2LS5ATMA1 N-溝道功率MOSFET 晶體管 8-PowerTDFN

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