商品名稱:STM32H743BIT6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H743BIT6.pdf
品牌:ST
年份:21+
封裝:LQFP208
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:360 件
STM32H7高性能MCU基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)400MHz。Cortex-M7內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn))和單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護(hù)單元 (MPU),可增強(qiáng)應(yīng)用的安全性。
該MCU采用高速嵌入式存儲器,具有高達(dá)2MB的雙區(qū)閃存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM)。另外,該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強(qiáng)型I/O和外設(shè),以及支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
該器件設(shè)有三個(gè)ADC、兩個(gè)DAC、兩個(gè)超低功耗比較器、一個(gè)低功耗RTC、一個(gè)高分辨率定時(shí)器、12個(gè)通用16位定時(shí)器、兩個(gè)用于電機(jī)控制的PWM定時(shí)器、五個(gè)低功耗定時(shí)器和一個(gè)真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器 (RNG)。該器件支持四個(gè)用于外部Σ-Δ調(diào)制器 (DFSDM) 的數(shù)字濾波器,并設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: ARM微控制器 - MCU
系列: STM32H7
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-208
核心: ARM Cortex M7
程序存儲器大小: 2 MB
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 3 x 16 bit
最大時(shí)鐘頻率: 400 MHz
輸入/輸出端數(shù)量: 168 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大小: 1 MB
電源電壓-最小: 1.62 V
電源電壓-最大: 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
DAC分辨率: 12 bit
數(shù)據(jù) Ram 類型: RAM
I/O 電壓: 1.62 V to 3.6 V
接口類型: CAN, I2C, SAI, SDIO, SPI, USART, USB
ADC通道數(shù)量: 20 Channel
程序存儲器類型: Flash
工廠包裝數(shù)量: 360
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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