MSC360SMA120B是一款1200 V的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，采用 TO-247 引腳封裝。該碳化硅(SiC)功率MOSFET器件提高了硅MOSFET和硅IGBT解決方案的性能，同時降低了高壓應(yīng)用的總擁有成本。

器件特性和優(yōu)點：

? 低電容和低柵極電荷

? 開關(guān)速度快，由于低內(nèi)部柵極電阻(ESR)

? 在高結(jié)溫下穩(wěn)定運行，TJ(max) = 175°C

? 快速可靠的體二極管

? 優(yōu)越的雪崩堅固性

? 符合RoHS標準

? 效率高，使系統(tǒng)更輕、更緊湊

? 簡單的驅(qū)動和容易平行

? 提高熱性能，降低開關(guān)損耗

? 消除了外部自由旋轉(zhuǎn)二極管的需要

? 降低系統(tǒng)擁有成本

應(yīng)用：

? 光伏逆變器，轉(zhuǎn)換器，和工業(yè)電機驅(qū)動器

? 智能電網(wǎng)輸配電

? 感應(yīng)加熱和焊接

? H/EV動力總成和EV充電器

? 電源和配電

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