IMYH200R012M1H采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V 12 mΩ SiC MOSFET旨在提供更高的功率密度，即使在苛刻的高電壓和開關(guān)頻率條件下也不影響系統(tǒng)的可靠性。CoolSiC?技術(shù)的低功率損耗提供了更高的可靠性，這要?dú)w功于2000 V優(yōu)化封裝中的.XT互連技術(shù)，在組串逆變器、太陽能優(yōu)化器、電動汽車充電和儲能系統(tǒng)等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了最高效率。

特征描述

VDSS = 2000 V，用于高達(dá)1500 VDC的高直流鏈路系統(tǒng)

非常低的開關(guān)損耗

創(chuàng)新的HCC封裝，具有14毫米的爬電距離和5.5毫米的間隙距離

基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5 V

用于硬換向的穩(wěn)健體二極管

.XT互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)了同類最佳的熱性能

改進(jìn)的濕度穩(wěn)健性

優(yōu)勢

高功率密度

卓越的可靠性

最高的效率

易于設(shè)計

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。