商品名稱:IMZ120R220M1H
數(shù)據手冊:IMZ120R220M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMZ120R220M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、220 mΩ CoolSiC? MOSFET,它基于先進的溝槽半導體工藝,該工藝經過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅(Si)基開關相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200V級開關中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復損耗、 獨立于溫度的低開關損耗以及無閾值導通特性。因此,CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構,如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。
特征描述
一流的開關和導通損耗
基準高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關斷柵極電壓,簡單輕松地進行柵極驅動
柵源電壓范圍寬
損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向
開關關斷損耗不受溫度影響
驅動源引腳,優(yōu)化開關性能
優(yōu)勢
最高效率
減少了冷卻工作
提高了操作頻率
增加了功率密度
降低了系統(tǒng)的復雜程度
應用領域
不間斷電源(UPS)
電動汽車快速充電
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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