IMBF170R650M1 CoolSiC? 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離，針對反激式拓撲結構進行了優(yōu)化，適用于眾多電力應用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。

特征描述

針對反激式拓撲結構進行了優(yōu)化

開關損耗極低

兼容反激式控制器的12 V / 0 V柵源電壓

完全可控的dV/dt，針對EMI進行優(yōu)化

SMD（表面貼裝）封裝具有增大的爬電距離和電氣間隙（> 7 mm）

優(yōu)勢

1700 V SiC MOSFET能實現(xiàn)簡單高效的單端反激式拓撲結構，適用于輔助電源

SMD（表面貼裝）封裝便于直接集成于PCB，能實現(xiàn)自然對流冷卻，無需額外的散熱器

由于產(chǎn)品封裝的爬電距離和電氣間隙增大，隔離工作量減少

降低系統(tǒng)復雜性

高功率密度

應用領域

儲能系統(tǒng)

電動汽車快速充電

電源

工業(yè)電機驅動和控制

太陽能系統(tǒng)解決方案

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