IMW65R072M1H CoolSiC? 650V MOSFET將碳化硅的物理強度與放大器件性能、可靠性和易用性相結合。  憑借其最先進的溝槽半導體工藝，CoolSiC? MOSFET在應用中提供最低的損耗，在操作中提供最高的可靠性。CoolSiC非常適合在高溫和惡劣環(huán)境應用中使用。

IMW65R072M1H屬性

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：26A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） ：18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 94 毫歐 @ 13.3A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 22 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 744 pF @ 400 V  

FET 功能：-  

功率耗散（最大值）： 96W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： PG-TO247-3-41  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： IMW65R072

潛在應用

服務器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池信息

UPS

電動汽車充電

電機驅動器

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