MD29HTS120P6HET 1200V/2.90mΩ SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS（導(dǎo)通）和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應(yīng)用而設(shè)計。

MD29HTS120P6HET參數(shù)：

封裝：P6

芯片類型：SIC

額定電壓：1200V

電路結(jié)構(gòu)： Sixpack/六單元

特征：PINFIN基板

特性

? SiC 功率 MOSFET

? 阻塞電壓高，RDS（導(dǎo)通）低

? 易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單

? 低電感情況下避免振蕩

? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板

等效電路原理圖

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