C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級(jí)的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)以及功率因數(shù)校正電路。

C2M0025120D的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：28.4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：23.6 S

Id-連續(xù)漏極電流：90 A

最大工作溫度：+ 150°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：463 W

產(chǎn)品：Power MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：406 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：25 mOhms

上升時(shí)間：31.6 ns

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

類型：Silicon Carbide Power MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28.8 ns

典型接通延遲時(shí)間：14.4 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

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