IMLT65R015M2H CoolSiC? 650V G2 MOSFET可通過降低能耗來充分利用碳化硅的性能，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中實現(xiàn)更高效率。 

Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET適用于各種功率半導體應(yīng)用，如光伏、能量存儲、電動汽車直流充電、電機驅(qū)動器和工業(yè)電源。

特性

靈活的驅(qū)動電壓，兼容雙極驅(qū)動方案

基準柵極閾值電壓VGS(th) =4.5V

即使在0V關(guān)斷柵極電壓下，也能防止寄生導通

超低開關(guān)損耗

在硬換向事件下，體二極管仍能可靠工作

.XT互連技術(shù)，實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

應(yīng)用

SMPS

太陽能光伏逆變器

能量存儲和電池形成

UPS

電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施

電機驅(qū)動器

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