IMWH170R650M1 器件是一款采用TO-247-3 HCC封裝的1700 V、650 mΩ 分立式CoolSiC MOSFET，適合連接到DC鏈路電壓600 V至1000 V的單端反激式輔助電源，適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。主要特性包括由反激式控制器直接驅(qū)動(dòng)，不需要柵極驅(qū)動(dòng)器IC。XT互連技術(shù)可提供出色的熱性能，高爬電距離封裝可提高可靠性。

規(guī)格

技術(shù)：SiC

安裝風(fēng)格：Through Hole

封裝 / 箱體：TO-247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.7 kV

Id-連續(xù)漏極電流：7.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：580 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.7 V

Qg-柵極電荷：8.1 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：88 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：CoolSiC

系列：1700V SiC

封裝：Tube

商標(biāo)：Infineon Technologies

配置：Single

下降時(shí)間：22 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：0.65 S

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時(shí)間：11 ns

工廠包裝數(shù)量：240

子類別：MOSFETs

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22 ns

典型接通延遲時(shí)間：18 ns

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