汽車IGBT模塊DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-通道碳化硅模塊

產(chǎn)品介紹

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1是mosfet陣列1200V,45A,20mW底盤安裝,2N通道晶體管模塊。

規(guī)格

產(chǎn)品狀態(tài)：激活

技術(shù):碳化硅(SiC)

配置:2個(gè)N溝道

特點(diǎn):碳化硅(SiC)晶體管

漏極到源極電壓（Vdss）：1200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs:16.2mOhm @ 50A, 18V

Vgs(th)（最大值）@ Id:5.15V @ 20mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs:149nC @ 18V

輸入電容（Ciss）（最大值） @ Vds:4400pF @ 800V

功率 - 最大:20mW

工作溫度:-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型：機(jī)箱安裝

特性介紹

電氣特性

VDSS = 1200 V

IDN = 50 A / IDRM = 100 A

低電感量設(shè)計(jì)

高電流密度

機(jī)械特性

集成NTC溫度傳感器

PressFIT接觸技術(shù)

由于集成了安裝夾子，所以安裝很牢固

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