商品名稱:微控制器 - MCU
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32G474RCT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:64-LQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
170MHz微控制器MCU STM32G474RCT6 ARM Cortex-M4F LQFP64微控制器IC
產(chǎn)品介紹
STM32G474RCT6提供五個(gè)快速的12位ADC(4 Msps)、七個(gè)比較器、六個(gè)運(yùn)算放大器、一個(gè)內(nèi)部電壓基準(zhǔn)緩沖器、一個(gè)低功耗RTC、兩個(gè)通用32位定時(shí)器、七個(gè)通用16位定時(shí)器和一個(gè)16位低功耗定時(shí)器,以及184ps分辨率的高分辨率定時(shí)器。
產(chǎn)品屬性
內(nèi)核:ARM Cortex M4
程序存儲(chǔ)器大?。?56 kB
數(shù)據(jù)總線寬度:32位
ADC分辨率:5 x 12位
最大時(shí)鐘頻率:170 MHz
I/O數(shù)量:52個(gè)I/O
數(shù)據(jù)RAM大小:128 kB
電源電壓 - 最?。?span style="font-size: 16px; white-space: pre;">1.71 V
電源電壓 - 最大:3.6 V
最低操作溫度:- 40 C
最高工作溫度:+ 85 C
模擬電源電壓:1.62 V至3.6 V
DAC分辨率:12位
數(shù)據(jù)RAM類型:SRAM
I/O電壓:5 V
接口類型:I2C, SPI, UART, USART, USB
對(duì)濕度敏感:是
ADC通道數(shù):26通道
功能特點(diǎn)
內(nèi)部16MHz RC,帶PLL選項(xiàng)(±1%)。
3個(gè)緩沖的外部通道,1 MSPS
2個(gè)32位定時(shí)器和2個(gè)16位定時(shí)器,最多有4個(gè)IC/OC/PWM或脈沖計(jì)數(shù)器和正交(增量)編碼器輸入
用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部存儲(chǔ)器接口 FSMC支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲(chǔ)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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