NTTFS010N10MCLTAG - 100V、50A 屏蔽柵極、N 溝道功率 Trench? MOSFET 晶體管

型號：NTTFS010N10MCLTAG

封裝：8-WDFN

類型：MOSFET 晶體管

描述：N 溝道 100V 10.7A (Ta)，50A (Tc) 2.3W (Ta)，52W (Tc) 表面貼裝 8-WDFN (3.3x3.3)

產(chǎn)品概述

NTTFS010N10MCLTAG - N 溝道 POWETRENCH? MOSFET 采用 onsemi 先進(jìn)的 POWERTRENCH? 工藝生產(chǎn)，該工藝采用屏蔽門技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減小導(dǎo)通電阻，并通過同類最佳的軟體二極管保持出色的開關(guān)性能。

產(chǎn)品特性

- 屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)

- 在 VGS = 10 V、ID = 15 A 時，最大 rDS(on) = 10.6 m

- VGS = 4.5 V、ID = 12 A 時，最大 rDS(on) = 15.9 m

- Qrr 比其他 MOSFET 供應(yīng)商低 50

- 降低開關(guān)噪聲/EMI

- MSL1 強(qiáng)大的封裝設(shè)計(jì)

- 100% 通過 UIL 測試

- 符合 RoHS 規(guī)范

應(yīng)用

- 初級 DC-DC MOSFET

- DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器

- 電機(jī)驅(qū)動器

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