IXXX160N65B4器件采用IXYS專有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進的溝槽IGBT工藝開發(fā)，具有低熱阻、低能耗、快速開關(guān)、低尾電流和高電流密度的特點。此外，該器件還具有方形反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA）和650V擊穿電壓，非常適合無緩沖器硬開關(guān)應用。

規(guī)格

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：310 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：860 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，160A

功率 - 最大值：940 W

開關(guān)能量：3.3mJ（開），1.88mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：425 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：52ns/220ns

測試條件：400V，80A，1 歐姆，15V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3 變式

供應商器件封裝：PLUS247?-3

基本產(chǎn)品編號：IXXX160

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