IPP076N15N5 150 V 功率 MOSFET 特別適用于叉車和電動摩托車等低壓驅(qū)動以及電信和太陽能應(yīng)用。新產(chǎn)品突破性地降低了 R DS(on)（與 SuperSO8 中的次佳替代品相比，降低幅度高達(dá) 25%）和 Q rr，同時不影響 FOM gd 和 FOM OSS，在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時有效減少了設(shè)計工作量。此外，超低反向恢復(fù)電荷（SuperSO8 中的 Q rr = 26 nC）提高了換向的堅固性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：112A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：7.6 毫歐 @ 56A，10

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 160μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：21 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4700 pF @ 75 V

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

功率耗散（最大值）：214W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3

封裝/外殼：TO-220-3

應(yīng)用

● 低壓驅(qū)動

● 電信

● 太陽能

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