IPA95R450PFD7 950V CoolMOS? PFD7 SJ MOSFET采用超級結(jié) (SJ) 技術(shù)。SJ技術(shù)先進、易用，具有同類最佳的性能，非常適合用于照明和工業(yè)SMPS應用。PFDJ集成了超快體二極管，可用于具有最低反向恢復電荷 (Qrr) 的諧振拓撲。該產(chǎn)品具有出色的硬換向穩(wěn)健性，可用于諧振拓撲。該器件為具有較高總線電壓的設(shè)計提供額外的安全裕度。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：950 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.2A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 7.2A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 360μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：43 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1230 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：30W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO220-3-313

封裝/外殼：TO-220-3 整包

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