ISC035N10NM5LFATMA1 OptiMOS? 5線性FET具有非常低的導(dǎo)通電阻和100V  VDS。該產(chǎn)品組合包括3.5m?低導(dǎo)通電阻RDS(on)。該器件采用TDSON-8FL封裝，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

應(yīng)用：

熱插拔

電池保護

電子保險絲

產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A（Ta）， 164A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.5 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 115μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：88 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7200 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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