ISC015N06NM5LFATMA1 OptiMOS? 5線性FET具有非常低的導通電阻和60V  VDS。該產(chǎn)品組合包括1.55m?低導通電阻RDS(on)。該器件采用TDSON-8FL封裝，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Ta）， 275A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.55 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.45V @ 120μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9000 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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