SCT040W120G3AG 碳化硅功率MOSFET器件是采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)的。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS(on)，結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作，從而提高了頻率，能效，系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應(yīng)用性能。

器件型號(hào)：SCT040W120G3AG

技術(shù)：碳化硅功率MOSFET

電壓：1200 V

電流： 40 A

安裝類型：通孔

封裝：HIP247

特性

?通過AEC-Q101認(rèn)證

?在整個(gè)溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on)

?高速交換性能

?非常快速和穩(wěn)健的內(nèi)在體二極管

?非常高的工作結(jié)溫能力(TJ = 200°C)

應(yīng)用

?主逆變器(電力牽引)

?用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器

?車載充電器(OBC)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。