IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200 V開關器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復損耗、關斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應，從而實現(xiàn)更快的開關速度和更高的效率。

特征描述

出類拔萃的開關損耗和導通損耗

高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關斷柵極電壓，實現(xiàn)簡單的柵極驅動

寬柵源電壓范圍

堅固的低損耗體二極管，適用于硬開關

關斷損耗受溫度影響小

.XT擴散焊技術，可實現(xiàn)一流的熱性能

應用領域

不間斷電源（UPS）

電池化成

電動汽車快速充電

電機控制和驅動

太陽能系統(tǒng)解決方案

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