S29GL512T11FHIV10是基于 45 nm 工藝技術的 MirrorBit Eclipse 閃存產品。這些設備提供 15 ns 的快速頁面讀取時間，相 應的隨機訪問時間可達 100 ns。它們配備寫入緩沖器，在一個操作中最多可編程 512 字節(jié)，與標準編程算法相比，有效編程 時 間更短。因此，對于當今需要更高容量、更好性能和更低功耗的嵌入式應用程序來說，這些設備是理想的選擇。

產品屬性

制造商: Infineon

產品種類: NOR閃存

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: FBGA-64

系列: S29GL512T

存儲容量: 512 Mbit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

有源讀取電流（最大值）: 60 mA

接口類型: Parallel

組織: 64 M x 8/32 M x 16

數(shù)據總線寬度: 8 bit/16 bit

定時類型: Asynchronous

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

結構: Sector

存儲類型: NOR

濕度敏感性: Yes

產品類型: NOR Flash

速度: 110 ns

標準: Common Flash Interface (CFI)

工廠包裝數(shù)量: 900

子類別: Memory & Data Storage

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