NVBLS1D1N08H MOSFET具有低最大導通電阻 (RDS(ON))、超低柵極電荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率轉換應用中使用的MOSFET的關鍵品質(zhì)因數(shù) (FOM)）。具有基于T6技術的優(yōu)化開關性能，與Trench6系列相比，Qg和Qoss降低了35%至40%。安森美半導體Trench8 MOSFET有多種封裝類型可選，實現(xiàn)設計靈活性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：41A（Ta），351A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.05 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 650μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：166 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11200 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），311W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-HPSOF

封裝/外殼：8-PowerSFN

應用

● 電動工具、電池驅(qū)動真空吸塵器

● 無人機/無人駕駛飛機、材料處理

● BMS/ 存儲，家庭自動化

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