BSC112N06LD 是 60V OptiMOS? 2 N 溝道（雙）功率 MOSFET 晶體管。

產(chǎn)品屬性

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

配置 2 N-通道（雙）  

FET 功能 邏輯電平門  

漏源電壓（Vdss） 60V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 20A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 11.2 毫歐 @ 17A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 28μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 55nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 4020pF @ 30V  

功率 - 最大值 65W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-PowerVDFN  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-4 

優(yōu)點

雙超級 SO8 封裝，功率密度高（占地面積最?。?/span>

優(yōu)異的耐熱性

工作溫度高達(dá) 175°C

Qgd/Qgs<0.8 實現(xiàn)了高擊穿抗擾度

無鉛電鍍，符合 RoHS 規(guī)范

潛在應(yīng)用

SMPS

感應(yīng)式無線充電

負(fù)載開關(guān)

電池管理系統(tǒng)

低壓驅(qū)動器

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