IQE004NE1LM7CGSC 是業(yè)內(nèi)首個(gè)15 V溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分。與OptiMOS?5 25 V相比，擊穿電壓的降低使RDS（on）和FOMQG改善了約30%，F(xiàn)OMQOSS改善了約40%。中心柵極尺寸經(jīng)過了并行化優(yōu)化。雙側(cè)冷卻功能提升了熱管理能力，將高功率SMPS應(yīng)用的功率密度和效率提升到新的水平。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：15 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58A (Ta), 379A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.45mOhm @ 30A, 7V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 432μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 7 V

Vgs（最大值）：±7V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：6240 pF @ 7.5 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），89W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHTFN-9

封裝/外殼：9-PowerWDFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。