IPT009N06NM5是一款采用Toll封裝的60V OptiMOS?5 N溝道功率MOSFET。Infineon的TO無引腳封裝針對(duì)叉車、輕型電動(dòng)汽車（LEV）、負(fù)載點(diǎn)（POL）和電信等高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該封裝是高功率應(yīng)用的完美解決方案，這些應(yīng)用需要最高的效率、出色的EMI性能以及最佳的熱性能和空間縮減。

規(guī)格

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-HSOF-8

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 427 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷 56 nC

最小工作溫度: - 55°C

最大工作溫度: + 175°C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 31 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 27 ns

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns

典型接通延遲時(shí)間: 20 ns

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