IPT60R105CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)。這些MOSFET內(nèi)置快速體二極管，完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應(yīng)用包括服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車充電站。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 7.8A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 390μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1503 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：140W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HSOF-8-1

封裝/外殼：8-PowerSFN

應(yīng)用

● 服務(wù)器

● 電信

● EV充電

● SMPS

● PC電源

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。