IPZ60R099P6功率晶體管采用面向高壓功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS? 技術(shù)，該技術(shù)根據(jù)超結(jié)原理 (SJ) 設(shè)計，并由 Infineon Technologies 率先應(yīng)用。 CoolMOS? C6和E6系列功率晶體管融合了一流SJ MOSFET供應(yīng)商的行業(yè)經(jīng)驗，并兼具高度的創(chuàng)新性。 它在提供快速開關(guān)SJ MOSFET的所有優(yōu)勢的同時，絲毫沒有犧牲易用性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37.9A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 14.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.21mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：70 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3330 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

● PFC 電平、硬開關(guān) PWM 電平和諧振開關(guān)電平

● 計算機、服務(wù)器、電信和不間斷電源

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