IPDD60R125CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓撲結構，采用高壓超級結MOSFET技術。這些MOSFET內置快速體二極管，完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應用包括服務器、電信和電動汽車充電站。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：27A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 6.8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 340μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：31 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1329 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：176W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-10-1

封裝/外殼：10-PowerSOP 模塊

應用

● 服務器

● 電信

● EV充電

● SMPS

● PC電源

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