IPB19DP10NM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設計人員提供一個新選項，以便在優(yōu)化性能的同時簡化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點是降低了中低功耗應用中的設計復雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.9A（Ta）， 13.8A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：185 毫歐 @ 12A， 10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.04mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

應用

● 電池保護

● 反極性保護

● 線性電池充電器

● 負載開關

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 低壓驅(qū)動

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